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수원국제교류센터, 캄보디아 시엠립주와 ‘수원마을’ 사업 업무

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작성자 최우석 작성일22-12-19 18:30 댓글0건

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삼성전자는 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정 초도 양산을 시작했다고 30일 공식 발표했다.

반도체 회로 선폭을 의미하는 3나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다 삼성전자가 앞섰으며 지금까지 삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4나노였다.

회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데 삼성전자는 이번 3나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄낸 것이다. 

GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힌다.

삼성전자 관계자는 "3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다"고 설명했다.

또한 "내년에 도입될 예정인 3나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능이 예상된다"고 덧붙였다. 

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